Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V
Číslo dílu
SISS72DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8S
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8S
Ztráta energie (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 75V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46392 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISS72DN-T1-GE3
SISS72DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISS72DN-T1-GE3 Odbyt
SISS72DN-T1-GE3 Dodavatel
SISS72DN-T1-GE3 Distributor
SISS72DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISS72DN-T1-GE3 Fotky
SISS72DN-T1-GE3 Cena
SISS72DN-T1-GE3 Nabídka
SISS72DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISS72DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISS72DN-T1-GE3 Nákup
SISS72DN-T1-GE3 Chip