Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Číslo dílu
SQ2310ES-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236
Ztráta energie (max.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8372 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQ2310ES-T1_GE3 Odbyt
SQ2310ES-T1_GE3 Dodavatel
SQ2310ES-T1_GE3 Distributor
SQ2310ES-T1_GE3 Datová tabulka
SQ2310ES-T1_GE3 Fotky
SQ2310ES-T1_GE3 Cena
SQ2310ES-T1_GE3 Nabídka
SQ2310ES-T1_GE3 Nejnižší cena
SQ2310ES-T1_GE3 Vyhledávání
SQ2310ES-T1_GE3 Nákup
SQ2310ES-T1_GE3 Chip