SQ2362ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Číslo dílu
SQ2362ES-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
95 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9544 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQ2362ES-T1_GE3
SQ2362ES-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQ2362ES-T1_GE3 Odbyt
SQ2362ES-T1_GE3 Dodavatel
SQ2362ES-T1_GE3 Distributor
SQ2362ES-T1_GE3 Datová tabulka
SQ2362ES-T1_GE3 Fotky
SQ2362ES-T1_GE3 Cena
SQ2362ES-T1_GE3 Nabídka
SQ2362ES-T1_GE3 Nejnižší cena
SQ2362ES-T1_GE3 Vyhledávání
SQ2362ES-T1_GE3 Nákup
SQ2362ES-T1_GE3 Chip