Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQ3427EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
Číslo dílu
SQ3427EEV-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53087 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQ3427EEV-T1-GE3
SQ3427EEV-T1-GE3 Elektronické komponenty
SQ3427EEV-T1-GE3 Odbyt
SQ3427EEV-T1-GE3 Dodavatel
SQ3427EEV-T1-GE3 Distributor
SQ3427EEV-T1-GE3 Datová tabulka
SQ3427EEV-T1-GE3 Fotky
SQ3427EEV-T1-GE3 Cena
SQ3427EEV-T1-GE3 Nabídka
SQ3427EEV-T1-GE3 Nejnižší cena
SQ3427EEV-T1-GE3 Vyhledávání
SQ3427EEV-T1-GE3 Nákup
SQ3427EEV-T1-GE3 Chip