SQJ411EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
Číslo dílu
SQJ411EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38167 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ411EP-T1_GE3
SQJ411EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ411EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ411EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ411EP-T1_GE3 Distributor
SQJ411EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ411EP-T1_GE3 Fotky
SQJ411EP-T1_GE3 Cena
SQJ411EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ411EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ411EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ411EP-T1_GE3 Nákup
SQJ411EP-T1_GE3 Chip