Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
Číslo dílu
SQJ464EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2086pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ464EP-T1_GE3
SQJ464EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ464EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ464EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ464EP-T1_GE3 Distributor
SQJ464EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ464EP-T1_GE3 Fotky
SQJ464EP-T1_GE3 Cena
SQJ464EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ464EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ464EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ464EP-T1_GE3 Nákup
SQJ464EP-T1_GE3 Chip