SQJ860EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Číslo dílu
SQJ860EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19012 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ860EP-T1_GE3
SQJ860EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ860EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ860EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ860EP-T1_GE3 Distributor
SQJ860EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ860EP-T1_GE3 Fotky
SQJ860EP-T1_GE3 Cena
SQJ860EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ860EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ860EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ860EP-T1_GE3 Nákup
SQJ860EP-T1_GE3 Chip