SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Číslo dílu
SQJB68EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
27W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
92 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5566 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJB68EP-T1_GE3
SQJB68EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJB68EP-T1_GE3 Odbyt
SQJB68EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJB68EP-T1_GE3 Distributor
SQJB68EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJB68EP-T1_GE3 Fotky
SQJB68EP-T1_GE3 Cena
SQJB68EP-T1_GE3 Nabídka
SQJB68EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJB68EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJB68EP-T1_GE3 Nákup
SQJB68EP-T1_GE3 Chip