SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Číslo dílu
SQJB90EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
48W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8257 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJB90EP-T1_GE3
SQJB90EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJB90EP-T1_GE3 Odbyt
SQJB90EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJB90EP-T1_GE3 Distributor
SQJB90EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJB90EP-T1_GE3 Fotky
SQJB90EP-T1_GE3 Cena
SQJB90EP-T1_GE3 Nabídka
SQJB90EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJB90EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJB90EP-T1_GE3 Nákup
SQJB90EP-T1_GE3 Chip