Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SUD19P06-60-GE3

SUD19P06-60-GE3

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
Číslo dílu
SUD19P06-60-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33131 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SUD19P06-60-GE3
SUD19P06-60-GE3 Elektronické komponenty
SUD19P06-60-GE3 Odbyt
SUD19P06-60-GE3 Dodavatel
SUD19P06-60-GE3 Distributor
SUD19P06-60-GE3 Datová tabulka
SUD19P06-60-GE3 Fotky
SUD19P06-60-GE3 Cena
SUD19P06-60-GE3 Nabídka
SUD19P06-60-GE3 Nejnižší cena
SUD19P06-60-GE3 Vyhledávání
SUD19P06-60-GE3 Nákup
SUD19P06-60-GE3 Chip