Koupit AGM-Semi (core control source) AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM-Semi (core control source)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

Číslo dílu

AGM210MAP

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

DFN3.3x3.3

Balení

taping

Počet balíků

5000

Popis

Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 54280 PCS

Kontaktní informace