AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM605C N-channel 60V 80A 4.5mΩ

AGM605C

N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Číslo dílu
AGM605C
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-220C
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60983 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM605C
AGM605C Elektronické komponenty
AGM605C Odbyt
AGM605C Dodavatel
AGM605C Distributor
AGM605C Datová tabulka
AGM605C Fotky
AGM605C Cena
AGM605C Nabídka
AGM605C Nejnižší cena
AGM605C Vyhledávání
AGM605C Nákup
AGM605C Chip