Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
ES1D
200V 1A 35ns
Číslo dílu
ES1D
Kategorie
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SMA
Balení
taping
Počet balíků
2000
Popis
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 200V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 950mV@1A Reverse current (Ir): 5uA@200V Reverse recovery time (trr ): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.