Tokmas (Tokmas)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDS4435
FDS4435
Číslo dílu
FDS4435
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
Tokmas (Tokmas)
Encapsulation
SOP-8
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
P-channel drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous drain current (Id): 12A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V, 12A P-channel, PowerTrench MOSFET, -30V, -12A, 20mΩ This P-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance. This device is suitable for
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 70223 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS4435
FDS4435 Elektronické komponenty
FDS4435 Odbyt
FDS4435 Dodavatel
FDS4435 Distributor
FDS4435 Datová tabulka
FDS4435 Fotky
FDS4435 Cena
FDS4435 Nabídka
FDS4435 Nejnižší cena
FDS4435 Vyhledávání
FDS4435 Nákup
FDS4435 Chip