Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB5N90TM
N-Channel 900V 5.4A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?
Číslo dílu
FQB5N90TM
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-263-3
Balení
taping
Počet balíků
800
Popis
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using a planar stripe and DMOS proprietary process. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.