onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
H11G1M DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler

H11G1M

DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler
Číslo dílu
H11G1M
Kategorie
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DIP-6
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
The H11G1M and H11G2M are opto-Darlington optocouplers. These devices feature a GaAs infrared emitting diode coupled to a silicon Darlington junction phototransistor with an integrated base-emitter resistor for optimized high temperature characteristics.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 69711 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova H11G1M
H11G1M Elektronické komponenty
H11G1M Odbyt
H11G1M Dodavatel
H11G1M Distributor
H11G1M Datová tabulka
H11G1M Fotky
H11G1M Cena
H11G1M Nabídka
H11G1M Nejnižší cena
H11G1M Vyhledávání
H11G1M Nákup
H11G1M Chip