The HMHA281 and HMHA2801 series of devices feature a compact 4-pin micro-flat encapsulation containing a Gallium Arsenide infrared emitting diode to drive a silicon phototransistor. Lead spacing is 1.27 mm.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.