Infineon (Infineon)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IR2101PBF
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 360mA source current 210mA
Číslo dílu
IR2101PBF
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
Infineon (Infineon)
Encapsulation
DIP-8
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
600V, high and low side driver IC, gate driver supply voltage range: 10V to 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 97163 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Low side High side IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
Infineon (Infineon)
Low side High side IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
Infineon (Infineon)
Klíčová slova IR2101PBF
IR2101PBF Elektronické komponenty
IR2101PBF Odbyt
IR2101PBF Dodavatel
IR2101PBF Distributor
IR2101PBF Datová tabulka
IR2101PBF Fotky
IR2101PBF Cena
IR2101PBF Nabídka
IR2101PBF Nejnižší cena
IR2101PBF Vyhledávání
IR2101PBF Nákup
IR2101PBF Chip