onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MJD41CT4G NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD41CT4G

NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
MJD41CT4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252-2(DPAK)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 93017 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MJD41CT4G
MJD41CT4G Elektronické komponenty
MJD41CT4G Odbyt
MJD41CT4G Dodavatel
MJD41CT4G Distributor
MJD41CT4G Datová tabulka
MJD41CT4G Fotky
MJD41CT4G Cena
MJD41CT4G Nabídka
MJD41CT4G Nejnižší cena
MJD41CT4G Vyhledávání
MJD41CT4G Nákup
MJD41CT4G Chip