These devices consist of a gallium arsenide infrared light emitting diode optically coupled to a monolithic silicon phototransistor detector in a small surface mount plastic encapsulation. It is suitable for high-density applications without the need for through-board mounting.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.