onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NJVMJD112G NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

NJVMJD112G

NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
NJVMJD112G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
Tube
Počet balíků
75
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98722 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NJVMJD112G
NJVMJD112G Elektronické komponenty
NJVMJD112G Odbyt
NJVMJD112G Dodavatel
NJVMJD112G Distributor
NJVMJD112G Datová tabulka
NJVMJD112G Fotky
NJVMJD112G Cena
NJVMJD112G Nabídka
NJVMJD112G Nejnižší cena
NJVMJD112G Vyhledávání
NJVMJD112G Nákup
NJVMJD112G Chip