onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD2955T4G P channel

NVD2955T4G

P channel
Číslo dílu
NVD2955T4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
DPAK-3
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Automotive power MOSFETs capable of withstanding high energy in avalanche and commutation modes. Suitable for low voltage high speed switching applications in power supplies, converters and power motor control. These devices are especially useful in bridge circuits where diode speed and commutation safe operating regions are critical, providing additional safety margin against unintended transient voltages. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64328 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD2955T4G
NVD2955T4G Elektronické komponenty
NVD2955T4G Odbyt
NVD2955T4G Dodavatel
NVD2955T4G Distributor
NVD2955T4G Datová tabulka
NVD2955T4G Fotky
NVD2955T4G Cena
NVD2955T4G Nabídka
NVD2955T4G Nejnižší cena
NVD2955T4G Vyhledávání
NVD2955T4G Nákup
NVD2955T4G Chip