VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055LESM9A-VB
RFD3055LESM9A-VB
Číslo dílu
RFD3055LESM9A-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
N-channel, 60V, 18A, RDS(ON), 73mΩ@10V, 85mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2Vth(V); TO252
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51442 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 60V 11A N-Channel, Logic Level, Power MOSFET, 60V, 11A, 107mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova RFD3055LESM9A-VB
RFD3055LESM9A-VB Elektronické komponenty
RFD3055LESM9A-VB Odbyt
RFD3055LESM9A-VB Dodavatel
RFD3055LESM9A-VB Distributor
RFD3055LESM9A-VB Datová tabulka
RFD3055LESM9A-VB Fotky
RFD3055LESM9A-VB Cena
RFD3055LESM9A-VB Nabídka
RFD3055LESM9A-VB Nejnižší cena
RFD3055LESM9A-VB Vyhledávání
RFD3055LESM9A-VB Nákup
RFD3055LESM9A-VB Chip