Koupit onsemi (Ansemi) SBRA8160T3G 60V 1A 720mV@1A 60V, 1.0A, Schottky diode

Čína
Profesionální dodavatel elektronických komponent

Katalogy Výrobci CN ICs

onsemi (Ansemi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

SBRA8160T3G

60V 1A 720mV@1A 60V, 1.0A, Schottky diode

Číslo dílu

SBRA8160T3G

Kategorie

diode > Schottky diode

Výrobce/značka

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SMA

Balení

taping

Počet balíků

5000

Popis

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low voltage, high frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 77583 PCS

Kontaktní informace