AOB20S60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Číslo dílu
AOB20S60L
Výrobce/značka
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
266W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOB20S60L
AOB20S60L Elektronické komponenty
AOB20S60L Odbyt
AOB20S60L Dodavatel
AOB20S60L Distributor
AOB20S60L Datová tabulka
AOB20S60L Fotky
AOB20S60L Cena
AOB20S60L Nabídka
AOB20S60L Nejnižší cena
AOB20S60L Vyhledávání
AOB20S60L Nákup
AOB20S60L Chip