AOB25S65L
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Číslo dílu
AOB25S65L
Výrobce/značka
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1278pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23676 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOB25S65L
AOB25S65L Elektronické komponenty
AOB25S65L Odbyt
AOB25S65L Dodavatel
AOB25S65L Distributor
AOB25S65L Datová tabulka
AOB25S65L Fotky
AOB25S65L Cena
AOB25S65L Nabídka
AOB25S65L Nejnižší cena
AOB25S65L Vyhledávání
AOB25S65L Nákup
AOB25S65L Chip