Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOB412L
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Číslo dílu
AOB412L
Výrobce/značka
Série
SDMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
2.6W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33621 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOB412L
AOB412L Elektronické komponenty
AOB412L Odbyt
AOB412L Dodavatel
AOB412L Distributor
AOB412L Datová tabulka
AOB412L Fotky
AOB412L Cena
AOB412L Nabídka
AOB412L Nejnižší cena
AOB412L Vyhledávání
AOB412L Nákup
AOB412L Chip