Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOD11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Číslo dílu
AOD11S60
Výrobce/značka
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17812 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOD11S60
AOD11S60 Elektronické komponenty
AOD11S60 Odbyt
AOD11S60 Dodavatel
AOD11S60 Distributor
AOD11S60 Datová tabulka
AOD11S60 Fotky
AOD11S60 Cena
AOD11S60 Nabídka
AOD11S60 Nejnižší cena
AOD11S60 Vyhledávání
AOD11S60 Nákup
AOD11S60 Chip