AOV11S60
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Číslo dílu
AOV11S60
Výrobce/značka
Série
aMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-PowerTSFN
Dodavatelský balíček zařízení
4-DFN-EP (8x8)
Ztráta energie (max.)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16359 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOV11S60
AOV11S60 Elektronické komponenty
AOV11S60 Odbyt
AOV11S60 Dodavatel
AOV11S60 Distributor
AOV11S60 Datová tabulka
AOV11S60 Fotky
AOV11S60 Cena
AOV11S60 Nabídka
AOV11S60 Nejnižší cena
AOV11S60 Vyhledávání
AOV11S60 Nákup
AOV11S60 Chip