Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CWDM3011P TR13

CWDM3011P TR13

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Číslo dílu
CWDM3011P TR13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49792 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova CWDM3011P TR13
CWDM3011P TR13 Elektronické komponenty
CWDM3011P TR13 Odbyt
CWDM3011P TR13 Dodavatel
CWDM3011P TR13 Distributor
CWDM3011P TR13 Datová tabulka
CWDM3011P TR13 Fotky
CWDM3011P TR13 Cena
CWDM3011P TR13 Nabídka
CWDM3011P TR13 Nejnižší cena
CWDM3011P TR13 Vyhledávání
CWDM3011P TR13 Nákup
CWDM3011P TR13 Chip