Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Číslo dílu
CDBGBSC201200-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Typ diody
Silicon Carbide Schottky
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 10A
Proud - Reverzní únik @ Vr
100µA @ 1200V
Konfigurace diod
1 Pair Common Cathode
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
1200V
Proud – průměrně usměrněný (Io) (na diodu)
25.9A (DC)
Rychlost
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
0ns
Provozní teplota - křižovatka
-55°C ~ 175°C
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46679 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CDBGBSC201200-G
CDBGBSC201200-G Elektronické komponenty
CDBGBSC201200-G Odbyt
CDBGBSC201200-G Dodavatel
CDBGBSC201200-G Distributor
CDBGBSC201200-G Datová tabulka
CDBGBSC201200-G Fotky
CDBGBSC201200-G Cena
CDBGBSC201200-G Nabídka
CDBGBSC201200-G Nejnižší cena
CDBGBSC201200-G Vyhledávání
CDBGBSC201200-G Nákup
CDBGBSC201200-G Chip