Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
C2M1000170J-TR
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Číslo dílu
C2M1000170J-TR
Výrobce/značka
Série
C2M™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-7
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 500µA (Typ)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 1000V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+25V, -10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11857 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR Elektronické komponenty
C2M1000170J-TR Odbyt
C2M1000170J-TR Dodavatel
C2M1000170J-TR Distributor
C2M1000170J-TR Datová tabulka
C2M1000170J-TR Fotky
C2M1000170J-TR Cena
C2M1000170J-TR Nabídka
C2M1000170J-TR Nejnižší cena
C2M1000170J-TR Vyhledávání
C2M1000170J-TR Nákup
C2M1000170J-TR Chip