Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
E3M0280090D

E3M0280090D

E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
Číslo dílu
E3M0280090D
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, E
Stav sekce
Active
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
54W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
VGS (max.)
+18V, -8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42299 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova E3M0280090D
E3M0280090D Elektronické komponenty
E3M0280090D Odbyt
E3M0280090D Dodavatel
E3M0280090D Distributor
E3M0280090D Datová tabulka
E3M0280090D Fotky
E3M0280090D Cena
E3M0280090D Nabídka
E3M0280090D Nejnižší cena
E3M0280090D Vyhledávání
E3M0280090D Nákup
E3M0280090D Chip