Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG6402LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Číslo dílu
DMG6402LVT-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
TSOT-26
Ztráta energie (max.)
1.75W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
498pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33500 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG6402LVT-7
DMG6402LVT-7 Elektronické komponenty
DMG6402LVT-7 Odbyt
DMG6402LVT-7 Dodavatel
DMG6402LVT-7 Distributor
DMG6402LVT-7 Datová tabulka
DMG6402LVT-7 Fotky
DMG6402LVT-7 Cena
DMG6402LVT-7 Nabídka
DMG6402LVT-7 Nejnižší cena
DMG6402LVT-7 Vyhledávání
DMG6402LVT-7 Nákup
DMG6402LVT-7 Chip