Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Číslo dílu
DMG6601LVT-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
850mW
Dodavatelský balíček zařízení
TSOT-26
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A, 2.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
422pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8961 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7 Elektronické komponenty
DMG6601LVT-7 Odbyt
DMG6601LVT-7 Dodavatel
DMG6601LVT-7 Distributor
DMG6601LVT-7 Datová tabulka
DMG6601LVT-7 Fotky
DMG6601LVT-7 Cena
DMG6601LVT-7 Nabídka
DMG6601LVT-7 Nejnižší cena
DMG6601LVT-7 Vyhledávání
DMG6601LVT-7 Nákup
DMG6601LVT-7 Chip