DMN100-7-F
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Číslo dílu
DMN100-7-F
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SC-59-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7035 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN100-7-F
DMN100-7-F Elektronické komponenty
DMN100-7-F Odbyt
DMN100-7-F Dodavatel
DMN100-7-F Distributor
DMN100-7-F Datová tabulka
DMN100-7-F Fotky
DMN100-7-F Cena
DMN100-7-F Nabídka
DMN100-7-F Nejnižší cena
DMN100-7-F Vyhledávání
DMN100-7-F Nákup
DMN100-7-F Chip