DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Číslo dílu
DMN1019UVT-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
TSOT-26
Ztráta energie (max.)
1.73W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50.4nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2588pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43855 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN1019UVT-7
DMN1019UVT-7 Elektronické komponenty
DMN1019UVT-7 Odbyt
DMN1019UVT-7 Dodavatel
DMN1019UVT-7 Distributor
DMN1019UVT-7 Datová tabulka
DMN1019UVT-7 Fotky
DMN1019UVT-7 Cena
DMN1019UVT-7 Nabídka
DMN1019UVT-7 Nejnižší cena
DMN1019UVT-7 Vyhledávání
DMN1019UVT-7 Nákup
DMN1019UVT-7 Chip