DMP56D0UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Číslo dílu
DMP56D0UFB-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-UFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Ztráta energie (max.)
425mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.58nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50.54pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53052 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMP56D0UFB-7
DMP56D0UFB-7 Elektronické komponenty
DMP56D0UFB-7 Odbyt
DMP56D0UFB-7 Dodavatel
DMP56D0UFB-7 Distributor
DMP56D0UFB-7 Datová tabulka
DMP56D0UFB-7 Fotky
DMP56D0UFB-7 Cena
DMP56D0UFB-7 Nabídka
DMP56D0UFB-7 Nejnižší cena
DMP56D0UFB-7 Vyhledávání
DMP56D0UFB-7 Nákup
DMP56D0UFB-7 Chip