Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HTMN5130SSD-13
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Číslo dílu
HTMN5130SSD-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.7W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
218.7pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34154 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HTMN5130SSD-13
HTMN5130SSD-13 Elektronické komponenty
HTMN5130SSD-13 Odbyt
HTMN5130SSD-13 Dodavatel
HTMN5130SSD-13 Distributor
HTMN5130SSD-13 Datová tabulka
HTMN5130SSD-13 Fotky
HTMN5130SSD-13 Cena
HTMN5130SSD-13 Nabídka
HTMN5130SSD-13 Nejnižší cena
HTMN5130SSD-13 Vyhledávání
HTMN5130SSD-13 Nákup
HTMN5130SSD-13 Chip