Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
1N8026-GA
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Číslo dílu
1N8026-GA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-257-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-257
Typ diody
Silicon Carbide Schottky
Aktuální – Opravený průměr (Io)
8A (DC)
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 2.5A
Proud - Reverzní únik @ Vr
10µA @ 1200V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
1200V
Rychlost
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
0ns
Provozní teplota - křižovatka
-55°C ~ 250°C
Kapacita @ Vr, F
237pF @ 1V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46141 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova 1N8026-GA
1N8026-GA Elektronické komponenty
1N8026-GA Odbyt
1N8026-GA Dodavatel
1N8026-GA Distributor
1N8026-GA Datová tabulka
1N8026-GA Fotky
1N8026-GA Cena
1N8026-GA Nabídka
1N8026-GA Nejnižší cena
1N8026-GA Vyhledávání
1N8026-GA Nákup
1N8026-GA Chip