Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GCMS008A120B1B1

GCMS008A120B1B1

SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Číslo dílu
GCMS008A120B1B1
Série
-
Stav sekce
Active
Balíček/pouzdro
Power Module
Typ
MOSFET
Konfigurace
Half Bridge
Napětí
1.2kV
Momentálně
300A
Napětí - Izolace
2500Vrms
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10640 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GCMS008A120B1B1
GCMS008A120B1B1 Elektronické komponenty
GCMS008A120B1B1 Odbyt
GCMS008A120B1B1 Dodavatel
GCMS008A120B1B1 Distributor
GCMS008A120B1B1 Datová tabulka
GCMS008A120B1B1 Fotky
GCMS008A120B1B1 Cena
GCMS008A120B1B1 Nabídka
GCMS008A120B1B1 Nejnižší cena
GCMS008A120B1B1 Vyhledávání
GCMS008A120B1B1 Nákup
GCMS008A120B1B1 Chip