Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

SILICON IGBT MODULES
Číslo dílu
GSID100A120T2P2
Série
Amp+™
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
710W
Konfigurace
Three Phase Inverter
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Proud – kolektor (Ic) (Max)
200A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
1mA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
13.7nF @ 25V
Vstupte
Three Phase Bridge Rectifier
NTC termistor
Yes
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25819 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GSID100A120T2P2
GSID100A120T2P2 Elektronické komponenty
GSID100A120T2P2 Odbyt
GSID100A120T2P2 Dodavatel
GSID100A120T2P2 Distributor
GSID100A120T2P2 Datová tabulka
GSID100A120T2P2 Fotky
GSID100A120T2P2 Cena
GSID100A120T2P2 Nabídka
GSID100A120T2P2 Nejnižší cena
GSID100A120T2P2 Vyhledávání
GSID100A120T2P2 Nákup
GSID100A120T2P2 Chip