Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

SILICON IGBT MODULES
Číslo dílu
GSID150A120T2C1
Série
Amp+™
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
1087W
Konfigurace
Three Phase Inverter
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Proud – kolektor (Ic) (Max)
285A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
1mA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 150A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
21.2nF @ 25V
Vstupte
Three Phase Bridge Rectifier
NTC termistor
Yes
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53237 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GSID150A120T2C1
GSID150A120T2C1 Elektronické komponenty
GSID150A120T2C1 Odbyt
GSID150A120T2C1 Dodavatel
GSID150A120T2C1 Distributor
GSID150A120T2C1 Datová tabulka
GSID150A120T2C1 Fotky
GSID150A120T2C1 Cena
GSID150A120T2C1 Nabídka
GSID150A120T2C1 Nejnižší cena
GSID150A120T2C1 Vyhledávání
GSID150A120T2C1 Nákup
GSID150A120T2C1 Chip