Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GSID200A170S3B1
SILICON IGBT MODULES
Číslo dílu
GSID200A170S3B1
Výrobce/značka
Série
Amp+™
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
D-3 Module
Výkon - Max
1630W
Konfigurace
2 Independent
Dodavatelský balíček zařízení
D3
Proud – kolektor (Ic) (Max)
400A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
1mA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
26nF @ 25V
Vstupte
Standard
NTC termistor
No
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20201 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GSID200A170S3B1
GSID200A170S3B1 Elektronické komponenty
GSID200A170S3B1 Odbyt
GSID200A170S3B1 Dodavatel
GSID200A170S3B1 Distributor
GSID200A170S3B1 Datová tabulka
GSID200A170S3B1 Fotky
GSID200A170S3B1 Cena
GSID200A170S3B1 Nabídka
GSID200A170S3B1 Nejnižší cena
GSID200A170S3B1 Vyhledávání
GSID200A170S3B1 Nákup
GSID200A170S3B1 Chip