Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GSID600A120S4B1
SILICON IGBT MODULES
Číslo dílu
GSID600A120S4B1
Výrobce/značka
Série
Amp+™
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
3060W
Konfigurace
Half Bridge
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Proud – kolektor (Ic) (Max)
1130A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
1mA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
51nF @ 25V
Vstupte
Standard
NTC termistor
Yes
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52309 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GSID600A120S4B1
GSID600A120S4B1 Elektronické komponenty
GSID600A120S4B1 Odbyt
GSID600A120S4B1 Dodavatel
GSID600A120S4B1 Distributor
GSID600A120S4B1 Datová tabulka
GSID600A120S4B1 Fotky
GSID600A120S4B1 Cena
GSID600A120S4B1 Nabídka
GSID600A120S4B1 Nejnižší cena
GSID600A120S4B1 Vyhledávání
GSID600A120S4B1 Nákup
GSID600A120S4B1 Chip