Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Číslo dílu
BSB104N08NP3GXUSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35718 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB104N08NP3GXUSA1
BSB104N08NP3GXUSA1 Elektronické komponenty
BSB104N08NP3GXUSA1 Odbyt
BSB104N08NP3GXUSA1 Dodavatel
BSB104N08NP3GXUSA1 Distributor
BSB104N08NP3GXUSA1 Datová tabulka
BSB104N08NP3GXUSA1 Fotky
BSB104N08NP3GXUSA1 Cena
BSB104N08NP3GXUSA1 Nabídka
BSB104N08NP3GXUSA1 Nejnižší cena
BSB104N08NP3GXUSA1 Vyhledávání
BSB104N08NP3GXUSA1 Nákup
BSB104N08NP3GXUSA1 Chip