BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
Číslo dílu
BSC009NE2LSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26061 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC009NE2LSATMA1
BSC009NE2LSATMA1 Elektronické komponenty
BSC009NE2LSATMA1 Odbyt
BSC009NE2LSATMA1 Dodavatel
BSC009NE2LSATMA1 Distributor
BSC009NE2LSATMA1 Datová tabulka
BSC009NE2LSATMA1 Fotky
BSC009NE2LSATMA1 Cena
BSC009NE2LSATMA1 Nabídka
BSC009NE2LSATMA1 Nejnižší cena
BSC009NE2LSATMA1 Vyhledávání
BSC009NE2LSATMA1 Nákup
BSC009NE2LSATMA1 Chip