BSC022N03SG
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Číslo dílu
BSC022N03SG
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8290pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49360 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC022N03SG
BSC022N03SG Elektronické komponenty
BSC022N03SG Odbyt
BSC022N03SG Dodavatel
BSC022N03SG Distributor
BSC022N03SG Datová tabulka
BSC022N03SG Fotky
BSC022N03SG Cena
BSC022N03SG Nabídka
BSC022N03SG Nejnižší cena
BSC022N03SG Vyhledávání
BSC022N03SG Nákup
BSC022N03SG Chip