BSC029N025S G
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Číslo dílu
BSC029N025S G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5090pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36676 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC029N025S G
BSC029N025S G Elektronické komponenty
BSC029N025S G Odbyt
BSC029N025S G Dodavatel
BSC029N025S G Distributor
BSC029N025S G Datová tabulka
BSC029N025S G Fotky
BSC029N025S G Cena
BSC029N025S G Nabídka
BSC029N025S G Nejnižší cena
BSC029N025S G Vyhledávání
BSC029N025S G Nákup
BSC029N025S G Chip