BSC072N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Číslo dílu
BSC072N03LDGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
57W
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53428 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC072N03LDGATMA1
BSC072N03LDGATMA1 Elektronické komponenty
BSC072N03LDGATMA1 Odbyt
BSC072N03LDGATMA1 Dodavatel
BSC072N03LDGATMA1 Distributor
BSC072N03LDGATMA1 Datová tabulka
BSC072N03LDGATMA1 Fotky
BSC072N03LDGATMA1 Cena
BSC072N03LDGATMA1 Nabídka
BSC072N03LDGATMA1 Nejnižší cena
BSC072N03LDGATMA1 Vyhledávání
BSC072N03LDGATMA1 Nákup
BSC072N03LDGATMA1 Chip